SCT4026DTWHR (新製品)
750V, 54A, 9端子SMD, トレンチ構造, 自動車向けSiC-MOSFET
SCT4026DTWHR (新製品)
750V, 54A, 9端子SMD, トレンチ構造, 自動車向けSiC-MOSFET
本製品は、TSC3PAKパッケージのSiC MOSFETです。TSC3PAKは、放熱面をパッケージ上面に配置した上面放熱構造により、面実装でありながら従来の挿入型パッケージ同等レベルの放熱性能を実現しています。また、独自の溝構造により6.66mmの沿面距離を確保し、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応。高耐圧アプリケーションにおける安全な絶縁設計と高信頼化に貢献します。さらに、低オン抵抗と高速スイッチングを実現し、電力変換回路の高効率化と省電力化に貢献します。xEVのオンボードチャージャーや電動コンプレッサーに加えて、PVインバータやサーバー電源にも最適です。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
26
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
54
Total Power Dissipation[W]
163
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
14.0x18.58 (t=3.625)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- Qualified to AEC-Q101
- Wide creepage distance = min.6.66mm
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Fast reverse recovery
- Easy to parallel
- Simple to drive
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
製品概要
概要
本製品は、TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）パッケージを採用したSiC MOSFETです。自動実装可能な面実装品であり、放熱面をパッケージ上面に配置した構造を採用することで、従来の挿入型パッケージ（TO-247-4L）と同等レベルの放熱性能を実現します。xEV（電動車）のオンボードチャージャー（OBC）や電動コンプレッサーなどにおいて、電力変換回路の高効率化と高信頼化に貢献します。
本製品は、パッケージに独自の溝を設けることで、沿面距離6.66mmを確保しました。市場で広く普及するパッケージとの互換性を持ちつつ、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧対応を実現します。これにより、高耐圧アプリケーションにおいて安全な絶縁設計が可能となるため、実装コストの削減と信頼性向上にも寄与します。
また、ロームの第4世代SiC MOSFETを搭載することにより、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現。電力変換時のスイッチング損失を大幅に低減し、アプリケーションの高効率化と省電力化に貢献します。
開発の背景
xEVでは、充電速度の向上や航続距離の延伸を目的として、主機インバータに加え、OBCや電動コンプレッサーなどの電力変換回路にもSiCデバイスの採用が拡大しています。また、産業機器分野においても、高性能サーバー電源やPVインバータなどの高効率動作に寄与するデバイスとしてSiCデバイスの搭載が進んでいます。
従来のSiCデバイスは、大電力動作時の発熱を効率よく放散するため、放熱性に優れる挿入型パッケージが主流でした。しかし、挿入型パッケージは手作業による実装工程を伴うほか、パッケージ形状の制約により低背化が難しいといった課題がありました。
こうした課題に対し、近年では自動実装が可能な面実装タイプのSiCデバイスが普及し始めています。本製品は、面実装パッケージでありながら、TO-247などの挿入型パッケージと同等レベルの放熱性能を実現します。
アプリケーション例
・車載機器：オンボードチャージャー（OBC）、電動コンプレッサーなど
