製造中止
SCT2120AF
650V, 29A, THD, SiC-MOSFET
SCT2120AF
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
120
世代
2nd Gen (Planar)
ID [A]
29
PD [W]
165
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
10.33x14.94 (t=4.65)
特長:
・ 低オン抵抗・ 高速スイッチングスピード
・ 高速リカバリー
・ 並列使用が容易
・ 駆動回路が簡単
・ Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
