BD3GD03NVX-LB (新製品)
GaN HEMT駆動用 LDO内蔵 4A/6A 1ch 高速ゲートドライバ
本製品は産業機器市場へ向けたランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BD3GD02NVX-LB及びBD3GD03NVX-LBは、GaN HEMTを高速に駆動する1chゲートドライバです。GaN HEMT用高速ゲートドライバ回路とゲート駆動電圧を生成するLDOを6ピンのSON小型パッケージに封止しており、特にE-modeのGaNデバイス駆動に最適化されています。また、入力をSi FET用ゲート駆動電圧に対応させているため、既存システムのSi FET用ゲート駆動ラインに接続することで、システムを変更せずにGaN HEMTを駆動することができます。出力端子は、ソース側とシンク側の駆動端子が分割されており、外付け抵抗でソース側、シンク側のスルーレートを個別に調整可能です。保護機能としてVDD-GND間に低入力誤動作防止回路（UVLO）、VREG-GND間に低出力電圧保護回路（UVP）を搭載しています。
主な仕様
特性:
Configuration
Low-side
Isolation Type
Non-isolated
Channel
1
Vcc1(Min.)[V]
5.25
Vcc1(Max.)[V]
18
I/O Delay Time(Max.)[ns]
Rise=14ns(typ)/ Fall=14ns(typ)
Min. Input Pulse Width[ns]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.6)
特長:
- 駆動電圧制御用LDO内蔵
- 広い動作範囲の入力電圧
- 同相動作入力及び逆相動作入力に対応
- 低い伝搬遅延
- VDD UVLO保護内蔵
- VREG UVP保護内蔵
