主な仕様
特性:
パワーデバイス
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
30
Vce(sat) [V]
1.7
推奨スイッチング周波数[kHz]
~20
絶縁耐圧[Vrms]
1500
保存温度範囲 (Min.)[℃]
-40
保存温度範囲 (Max.)[℃]
125
パッケージサイズ [mm]
38x24 (t=3.75)
特長:
- DC入力、3相AC出力IGBTインバータ
- 600V/30A
- 下側IGBTオープンエミッタ
- ブートストラップダイオード内蔵
- 上側IGBTゲートドライバ(HVIC):
SOI(Silicon On Insulator)プロセス採用、
駆動回路、高圧レベルシフト回路、
ブートストラップダイオード電流制限回路、
制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO) - 下側IGBTゲートドライバ(LVIC):
駆動回路、短絡電流保護回路(SCP)、
制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)、
熱遮断回路(TSD)、
アナログ温度出力回路(VOT) - エラー出力(LVIC)
下側IGBT用SCP、UVLO、TSD動作時エラー出力 - 入力インタフェース3.3V, 5V系対応
- UL認証済み:UL1557 File E468261