主な仕様
特性:
Power Device
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
30
Vce(sat) [V]
1.7
Reccomended Switching Frequency [kHz]
~20
Isolation Voltage [Vrms]
1500
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
38x24 (t=3.75)
特長:
- DC入力、3相AC出力IGBTインバータ
- 600V/30A
- 下側IGBTオープンエミッタ
- ブートストラップダイオード内蔵
- 上側IGBTゲートドライバ(HVIC):SOI(Silicon On Insulator)プロセス採用、駆動回路、高圧レベルシフト回路、ブートストラップダイオード電流制限回路、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)
- 下側IGBTゲートドライバ(LVIC):駆動回路、短絡電流保護回路(SCP)、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)、熱遮断回路(TSD)
- エラー出力(LVIC)下側IGBT用SCP、TSD、UVLO動作時エラー出力
- 入力インタフェース3.3V,5V系対応