主な仕様
特性:
Power Device
IGBT
VCES [V]
600
IC [A]
15
Vce(sat) [V]
1.5
Reccomended Switching Frequency [kHz]
~20
Isolation Voltage [Vrms]
1500
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
38x24 (t=3.75)
特長:
- DC入力、3相AC出力 IGBTインバータ
- 600V/15A
- 下側 IGBT オープンエミッタ
- ブートストラップダイオード内蔵
- 上側 IGBT ゲートドライバ(HVIC): SOI(Silicon On Insulator)プロセス採用、駆動回路、高圧レベルシフト回路、ブートストラップダイオード電流制限回路、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)
- 下側 IGBT ゲートドライバ(LVIC): 駆動回路、短絡電流保護回路(SCP)、制御電源電圧低下時誤動作防止回路(UVLO)、アナログ温度出力回路(VOT)
- エラー出力(LVIC): 下側IGBT 用SCP、UVLO 動作時エラー出力
- 入力インタフェース3.3V, 5V 系対応
- UL 認証済み:UL1557 File E468261