430V 20A Ignition IGBT - RGPZ10BM40FH | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan
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430V 20A Ignition IGBT - RGPZ10BM40FH
RGPZ10BM40FHは低Vce(sat)、高アバランシェ耐性を両立させた、車載イグニッション用途に最適な高信頼性IGBT製品です。
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特性:
シリーズ
P: For ignition
VCES [V]
430
IC[A]
20
EAS(25°C) [mJ]
250
EAS(150°C) [mJ]
150
VCE(sat)(Typ.) [V]
1.6
Pd [W]
107
BVCES(Min.) [V]
400
保存温度範囲 (Min.)[°C]
-55
保存温度範囲 (Max.)[°C]
175
特長:
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High Self-Clamped Inductive Switching Energy
- Built in Gate-Emitter Protection Diode
- Qualified to AEC-Q101
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant