SG6612WN
短絡耐量 5µs, 650V 50A, IGBT Bare Die

Application: General Inverter, UPS, Power Conditioner, Welding
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

データシート
データシート

主な仕様

 
形名 | SG6612WNAMU03
供給状況 | 推奨品
パッケージ |
包装数量 |
最小個装数量 |
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V] / VRM [V]

650

IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]

50

VCE(sat)(Typ.) [V] / VF(Typ.) [V]

1.65

tsc(Min.) [us]

5

動作温度範囲 (Min.)[℃]

-40

動作温度範囲 (Max.)[℃]

175

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特長:

  • Trench Light Punch Through Type
  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
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