RGWSX2TS65D
高速度スイッチングタイプ, 650V 60A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
RGWSX2TS65Dは高速スイッチングが特徴のIGBTで、PFC、ソーラーコンバータ、中～高速スイッチング周波数コンバータなどのアプリケーションに最適です。
主な仕様
特性:
Series
WS:High speed SW, cost effective
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
60
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
29
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
288
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.94 (t=5.22)
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
