RGT80TS65D
短絡耐量 5µs, 650V 40A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
新規設計非推奨
RGT80TS65D
短絡耐量 5µs, 650V 40A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。
主な仕様
特性:
Series
T: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
55
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
234
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.94 (t=5.22)
特長:
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
