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650V 25A Field Stop Trench IGBT - RGT50TS65D

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RGT50TS65DGC11
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 450
包装形態 | バルク
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C) [A]

25

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

174

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant