RGE00TS65DG (新製品)
短絡耐量5μs, 650V 50A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
RGE00TS65DG (新製品)
短絡耐量5μs, 650V 50A, FRD内蔵, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
RGE00TS65DGは低スイッチング損失かつ低導通損失が特長のIGBTです。汎用インバータ、UPS、溶接機やパワーコンディショナーなどに最適です。
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
Series
E: For inverter (tsc 5µs)
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
50
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.65
tf(Typ.) [ns]
76
tsc(Min.) [us]
5
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
230
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
20.95x15.94 (t=5.22)
特長:
- Low Collector - Emitter Saturation Voltage
- Low Switching Loss
- Short Circuit Withstand Time 5μs
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
- Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
