LTR10LEZPJS
1220(0508)サイズ 低抵抗 高電力チップ抵抗器/長辺電極品 (AEC-Q200準拠)
LTR10LEZPJS
1220(0508)サイズ 低抵抗 高電力チップ抵抗器/長辺電極品 (AEC-Q200準拠)
ロームの高電力チップ抵抗器LTRシリーズは長辺方向を電極とすることにより、定格電力を汎用のチップ抵抗器に比べて大幅アップしております。また電極間距離が短くなることにより優れた接合信頼性を得ることができます。
主な仕様
特性:
Automotive grade
Yes
Size[mm](inch)
1220(0508)
Rated Power[W]
1
Resistance Tolerance
J (±5%)
Resistance range[Ω]
0.033 to 0.091
Resistance(Min.)[Ω]
0.033
Resistance(Max.)[Ω]
0.091
Temperature Coefficient[ppm/°C]
0 to 150
Operating Temperature[°C]
-55 to 155
Type
For current sensing (Wide terminal)
Operating Temperature (Max.)[°C]
155
Common Standard
AEC-Q200 (Automotive Grade)
特長:
- 電流検出用チップ抵抗器: 10mΩ~
- 電極を長辺方向に配置することにより、温度変化に対する接合信頼性が大幅アップ
- 定格電力が大きく、小型で置き換えが可能
- 国際認証規格ISO9001 / IATF16949準拠
- AEC-Q200対応
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Reference Design - REFLD002
- LiDAR向けハイパワーレーザーダイオード高速駆動EcoGaN™ 及び高速Gate Driver
LiDARセンサの用途は、車の自動運転のみならず、産業用途、インフラ用途に大きく広がっています。LiDARセンサには、センシング距離の延伸、高分解能が求められ、レーザーダイオードの特性向上の他に、より高速にハイパワーでレーザーダイオードを駆動する事が必要です。ロームは、905nm, ハイパワー狭発光幅レーザーダイオードをラインアップ。（RLD90QZWxシリーズ）また、高速駆動が可能な次世代デバイスEcoGaN™及び、GaN HEMT用高速ゲートドライバを含めたリファレンスデザインとして提供し、LiDARセンサの特性向上（距離、分解能）に貢献します。
- LiDARアプリケーションのキーデバイスであるレーザーダイオードを高速駆動
- 次世代デバイス EcoGaN™
- GaN HEMT駆動用高速Gate Driver（BD2311NVX-C）
- 矩形波型回路/共振型回路の2種
関連動画&カタログ
