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  • SiCパワーデバイスの特徴を教えて下さい。
    • SiCはSiと比較し絶縁破壊電界強度が約10倍高く、数千Vまでの高耐圧が可能で、その他にも単位面積当たりでのオン抵抗が非常に小さく電力損失も優れています。
      Siでは高耐圧化に伴い、オン抵抗の増大を改善する為にIGBTが主に用いられますが、ｽｲｯﾁﾝｸﾞ損失が大きいという問題点があります。
      対して、SiCは高速ｽｲｯﾁﾝｸﾞ性能にも優れております。
      詳細な説明は”エレクトロニクス豆知識”を参照下さい。
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