S2206
650V, 29A, SiC-MOSFET Bare Die
S2206
主な仕様
特性:
VDS [V]
650
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
120
世代
2nd Gen
ID [A]
29
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
· 低オン抵抗· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単