Nch 600V 11A Power MOSFET - R6011ENJ
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
×
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-263(D2PAK)
JEITAパッケージ
SC-83
パッケージサイズ[mm]
10.1x13.1(t=4.5)
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
11.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.34
ゲート総電荷量 Qg [nC]
32.0
許容損失 PD [W]
40.0
駆動電圧 [V]
10.0
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K7403
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant