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10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6011ENJ

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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形名 | R6011ENJTL
供給状況 | 供給中
パッケージ | LPTS(D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263(D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

パッケージサイズ[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

推奨セット

Power Supply

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

11.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.34

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.34

ゲート総電荷量 Qg [nC]

32.0

許容損失 PD [W]

40.0

駆動電圧 [V]

10.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・ Low on-resistance.
・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant

サポートリンク:

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