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GaN HEMT
GaN（窒化ガリウム）は次世代のパワーデバイスとして期待されている化合物半導体の材料です。従来のシリコンデバイスと比較し、優れたスイッチング性能および高周波性能のため市場での採用が進んできています。
それに加えてオン抵抗もシリコンデバイスより低く、多くのアプリケーションでの低消費電力化、小型化が大いに期待されています。
150V GaN HEMT
ロームはゲート・ソース最大定格電圧を8Vに向上する事に成功し、基地局、データセンターをはじめとする多くの産業機器での使用に最適な仕様になっています。
650V GaN HEMT
650V耐圧GaNデバイスとして電源の高効率化に繋がる業界最高クラスのFOM(Figure of Merit)を実現し、スイッチング損失を大きく削減でき、幅広い電源システムの高効率化に貢献します。
ロームでは、アプリケーションの省エネ・小型化に寄与するGaNデバイスを「EcoGaN™シリーズ」としてラインアップし、デバイス性能のさらなる向上に取り組んでいます。また、デバイス開発に加えて、戦略的パートナーシップの締結や共同開発も進め、アプリケーションの高効率化、小型化に寄与することで社会課題の解決に貢献します。
* EcoGaN™は、ローム株式会社の商標または登録商標です。
