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  • 絶対最大定格を一瞬だけ越えての使用はできますか?
    • 絶対最大定格を越えての使用は一瞬だけでもできません。ブレークダウンしてトランジスタが破壊したり、hFEが低下するなど劣化の可能性があります。単発パルスの場合、使用できる範囲は安全動作領域(SOA)をご確認下さい。連続パルスの場合は電力計算や素子温度の計算が必要になります。詳しい判断手順は、「使用可否判断方法」・「素子温度の計算方法」をご参考下さい。
      (また、合わせて "ディレーティング"に関する項もご参照下さい。)
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
  • コレクターエミッタ間に耐圧と逆方向の電圧を印加できますか?
    • NPNトランジスタの場合、エミッタをGNDとしてコレクタに正の電圧を印加していったときの耐圧が仕様書に記載しているVCEOです(PNPトランジスタの場合はコレクタをGNDとしてエミッタに正の電圧を印加していったときの耐圧がVCEOです)。
      これと逆方向(NPNの場合、コレクタをGNDにしてエミッタに正の電圧を印加した場合)の耐圧はエミッタ-ベース間の耐圧とほぼ同じになります。エミッタ-ベース間の耐圧は通常5-7V程度なので、コレクタ-エミッタ間の逆方向の電圧は5V以下でご使用いただくよう、お願いいたします(コレクタ-エミッタ間の逆方向に耐圧に近い電圧をかけるとhFE低下などの劣化が起こることがあります)。コレクタ-エミッタ間の逆方向の電圧が5V以下なら、電流はリーク電流程度しか流れません。





      デジタルトランジスタも上記と同様にコレクタ-エミッタ間(OUT-GND間)の逆方向には5Vまで電圧を印加することができますが、GND-IN間に抵抗が入っている場合では、この抵抗を介して電流が流れます。
    • Products: General Purpose Bipolar Transistors , Complex Transistors , Darlington Transistors
  • 周囲温度が変わった時にどのような事に注意が必要ですか?
    • 許容損失(Pc)は周囲温度(Ta)に合わせて、軽減(ディレーティング)する必要があります。以下のグラフからトランジスタにかかる電力を周囲温度に合わせて軽減して下さい。
      安全動作域(SOA)のディレーティングも必要ですので詳しくは「ロームのトランジスタを安心してお使いいただくために-TR使用可否判断方法」をご参照ください。
      また、電気的特性では 例えばバイポーラトランジスタ/デジタルトランジスタの場合, 入力電圧(VBE, VI(on), VI(off),)や hFE, GIは温度により特性が変動します。電気的特性曲線グラフから温度が変化した時も動作に問題がないように設計して下さい。MOSFETも同様に配慮下さい。
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
  • なぜハロゲンフリー化するのか?
    • 従来よりRoHS指令に対応する臭素系難燃剤を含むモールド樹脂を使用していましたが、さらなる環境影響低減のために、ハロゲンフリー樹脂を採用していきます。
      ロームのハロゲンフリーの定義(均質材料中で):
      ①塩素が900ppm以下
      ②臭素が900ppm以下
      ③塩素および臭素の合計含有率が1500ppm以下
      ④三酸化アンチモンが1000ppm以下。
      これは、IEC61249の規定に適合し、環境管理に厳しい欧州主要メーカー要望値を満足するものです。
    • Products: Bipolar Transistors , MOSFETs
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