主な仕様
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
80
世代
2nd Gen (Planar)
ID [A]
40
PD [W]
262
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16x21 (t=5.2)
特長:
・低オン抵抗・高速スイッチング・低スイッチングロス
・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
