SiCパワーデバイス
シリコンカーバイド（SiC）デバイスは、シリコン（Si）デバイスと比較してオン抵抗が低く、高温、高周波、高電圧環境での性能が優れていることから、次世代の低損失半導体として大いに期待されています。SiCデバイスの優れた性能によって設計が簡素化され、アプリケーションの小型・軽量化を実現することができます。
SiCデバイスの低オン抵抗特性は機器のエネルギー消費量の大幅な削減に貢献します。CO2排出量を抑え、環境にやさしい製品やシステムを設計することができます。
SiCパワーデバイス パンフレットロームの第4世代SiC MOSFET
ロームが量産を開始した最新の第4世代SiC MOSFET は、短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現したデバイスであり、ディスクリートパッケージでの製品を展開しています。車載トラクションインバータ搭載時には、高効率化によりIGBT比で6%の電費を改善（国際規格「WLTC 燃費試験」で算出時）できるため、電気自動車の航続距離延伸やバッテリーの小型化に大きく貢献することができます。
SiC技術の応用
第4世代SiC MOSFETディスクリートパッケージの諸特性について説明します。また、回路設計やレイアウト手法、評価における注意点等を詳しく解説します。
第4世代SiC MOSFET を使用した時のアプリケーションメリットをDC-DC コンバータの実機検証、EVのトラクション・インバータでの模擬走行試験とTotem-pole PFCの実機評価を通して解説します。
ラインアップ
SiC関連製品
ロームではSiCデバイスの駆動に最適なゲートドライバICを開発しています。SiCデバイスと組み合わせることで、その特性を最大限に引き出すことができます。また、SiC MOSFET を内蔵したAC/DCコンバータ制御ICなど、SiC製品を内蔵したICの開発も行っています。
