SiCパワーモジュール

1. SiCモジュールの特徴

大電流を扱うパワーモジュールにはSiのIGBTとFRDを組み合わせたIGBTモジュールが広く用いられています。ロームでは世界に先駆けて、SiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したパワーモジュールの販売を開始しています。
IGBTのテイル電流とFRDのリカバリ電流に起因して生じていた大きなスイッチング損失は、SiCモジュールによって大幅に削減可能なため、

1. スイッチング損失の低減による電源効率改善ならびに冷却器の簡素化
   （例：ヒートシンクの小型化、水冷／強制空冷の自然空冷化）
2. 動作周波数の高周波化による周辺部品の小型化
   （例：リアクトルやコンデンサ等の小型化）

などの効果が得られます。
産業機器の電源や、太陽光発電のパワーコンディショナーなどに応用が広がっています。

2. 回路構成

現在製品化しているSiCパワーモジュールは、1モジュールでハーフブリッジ回路を構成できる2in1タイプです。
SiC MOSFET+SiC SBDタイプと、SiC MOSFETのみで構成されたタイプがあり、用途に応じてお選びいただけます。