ロームの研究開発 - 研究公募 2015

持続可能な社会を実現するために

ロームの研究開発は、創業以来大切に守り続けている「品質第一」という企業目的を念頭に、地球環境の課題解決に貢献すべく取り組んでおります。

研究開発ではロームグループが目指す3つのエコのうち、ECO EnergyをSiCデバイスや不揮発ロジック・メモリで、またECO Lifeの安心・安全・快適を各種センサや低消費無線デバイスで実現しようとチャレンジしています。
手法も、自社での技術革新だけでなく、オープンイノベーションを意識した産学連携も継続しながら取り組んでいます。

ロームの研究開発

使用中でも、こまめに電源OFF不揮発性ロジック/メモリ

写真 - 不揮発性ロジック/メモリ

不揮発とは"忘れない"こと。電源を切ると、従来なら消えてしまう記憶内容を保持しています。この特性を利用すると、作動中の電化製品でも、動作に関係のない不要な電源をCPUのクロック周波数にあわせてこまめにOFFでき、消費電力を大幅に削減することができます。

図 - 間欠電源供給動作

間欠電源供給動作

電化製品は電源を常にONにしなくても、動作に影響がない場合があります。CPUの処理待機中のわずかな瞬間も自動で電源をOFFします。

オン抵抗が従来の7割減SiCパワーデバイス

写真 - SiCパワーデバイス

電気を効率よく制御するパワーデバイスには現在シリコン(Si)が使用されていますが、効率よく電力を使うには限界がありました。そこで注目されているのがシリコンカーバイド(SiC:炭化珪素)。私たちは試作時に3mm角で100A超という、SiCで世界最小のオン抵抗を実現しています。

図 - オン抵抗を大幅に削減

オン抵抗を大幅に削減

電気が流れるところには必ずロスが存在します。従来品より、このロス(オン抵抗)を大幅に少なくすることができます。

小型・軽量化が可能SiCパワーモジュール

写真 - SiCパワーモジュール

車載や産業機器向けに、SiCデバイスを搭載したパワーモジュールを開発しています。トランスファーモールドと呼ばれる技術と、SiCデバイスの電力密度を上げられるという優れた特性により、現在のSiデバイスを使ったパワーモジュールよりも小さくすることができ、電源の小型化・高機能化に貢献しています。

写真 - 進化し続けるパワーモジュール

進化し続けるパワーモジュール

世界最速のパワースイッチング窒化ガリウムパワートランジスタ

写真 - 窒化ガリウムパワーMOSFET

身の回りに沢山ある電化製品で、電圧を変えたり、供給電力を調整したりする電源。 これを小さくするためには速く動く「パワースイッチ」が有効です。私たちは窒化ガリウムを用いて、最速で動くパワースイッチをめざし、究極に小さい電源を実現すべく開発に取り組んでいます。

写真 - 48Vから12Vを生成する100Wの絶縁電源

写真は、48Vから12Vを生成する100Wの絶縁電源の外観です。下のSiを使った市販の電源に比べ、GaNを使うと体積比で20%まで小さくなっています。

超高精度、高速動作スイッチング技術

超高精度、高速動作 スイッチング技術

ロームでは、次世代の高速高精度なスイッチング技術に取り組んでいます。その実用化した一例が超高速パルス制御テクノロジー(Nano Pulse Control)を搭載した高速スイッチング電源です。最短電源ON時間わずか9nsを実現。48Vの電源から直接3.3Vの電源を作り出し、小面積高効率化に貢献します。

高速高精度なPWM制御が、あらゆるスイッチング制御で重要となります。

高速高精度なPWM制御が、あらゆるスイッチング制御で重要となります。

小型で高機能なデバイスMEMSデバイス

写真 - MEMSデバイス

LSI微細加工技術と圧電薄膜技術を活用して、様々なMEMSデバイスの製造・開発を行っております。薄膜製造技術、シリコン深堀エッチング技術等を基礎として、小型、省エネ、高機能なセンサを実現し、民生、産機、自動車等の各分野で貢献していきます。

図 - 成膜・加工技術

成膜・加工技術

圧電薄膜形成やシリコン深堀エッチング技術等を有しています。

インテリジェントセンサ振動センサモジュール

写真 - 振動センサモジュール

MEMS3軸加速度センサとマイコンで構成したインテリジェントセンサモジュールです。マイコン内に搭載した高精度SI値*算出アルゴリズムが、私たちの安全・安心を見守る技術です。

図 - SI値アルゴリズム搭載

SI値アルゴリズム搭載

計測震度との相関が高いSI値により、高精度に地震レベルを判定します。

*SI値:地震により建物がどの程度の被害が生じるかを数値化したものです。

次世代のセンシング用光デバイスフォトニック結晶レーザー

写真 - フォトニック結晶レーザー

フォトニック結晶と呼ばれる、2次元の微細な周期構造を半導体内部に埋め込んだ、面発光型の半導体レーザーです。
最先端のナノテクノロジーで半導体に様々なパターンを形成することで、細いビームを生成できることは勿論、ビームの形状や出射方向も変えることができます。

写真 - ビーム形状やビーム出射方向が制御できます。

ビーム形状やビーム出射方向が制御できます。

物質同定などのセンシングデバイステラヘルツ波デバイス

写真 - テラヘルツ波デバイス

小型で室温動作が可能なテラヘルツ波半導体デバイスを開発しております。高い周波数を用いることができるテラヘルツ波デバイスはテラヘルツ波センシングや無線通信の高速化等への応用が期待できます。

図 - 室温動作での発振

室温動作での発振

共鳴トンネルダイオードを用いた、室温動作の発振素子と検出素子を開発しています。

光の強弱でセンシング脈波センサ

写真 - 高感度フォトセンサを使用した低消費電力の光学式脈波センサモジュール

高感度フォトセンサを使用した低消費電力の光学式脈波センサモジュールです。血液による吸収率の高い緑色LEDと人体を透過する外乱光をカットするGreenフィルターを用いることで、より正確な脈波情報が得られます。また、加速度センサと組み合わせることにより、体の動きによる測定誤差を除去することもできます。

写真 - 血管の拡張・収縮を反射光の強弱でとらえます。

血管の拡張・収縮を反射光の強弱でとらえます。

社員紹介

開発事例紹介

世界初のSiC-DMOSの基礎技術開発と量産化などのプロジェクトストーリーをご紹介。

> プロジェクトストーリー

社員インタビュー

開発・設計をはじめとしたローム社員の業務をご紹介。

> 社員インタビュー

> 社員紹介

共通スタイル(common.css) - 研究公募 2015