電気を効率よく制御するパワーデバイスには現在シリコン（Si）が使用されていますが、効率よく電力を使うには限界がありました。そこで注目されているのがシリコンカーバイド（SiC：炭化珪素）。私たちは継続した研究開発で更なる高性能化に取り組んでいます。

車載や産業機器向けに、SiCデバイスを搭載したパワーモジュールを開発しています。トランスファーモールドと呼ばれる技術と、SiCデバイスの電力密度を上げられるという優れた特性により、現在のSiデバイスを使ったパワーモジュールよりも小さくすることができ、電源の小型化・高機能化に貢献しています。

SiCの価値を高めるため、その使い方の提案にまでロームは果敢に踏み込みます。今回開発した電源は99%もの効率を持ち、冷却ファンを排除することに成功。IEEE Industrial Electronics誌に掲載されました。

身の回りに沢山ある電化製品で、電圧を変えたり、供給電力を調整したりする電源。これを小さくするためには速く動く「パワースイッチ」が有効です。私たちは窒化ガリウムを用いて、最速で動くパワースイッチをめざし、究極に小さい電源を実現すべく開発に取り組んでいます。

ノイズ源となる回路部へ ロームの独自ノウハウにより最適化された低ノイズデバイス技術を導入。トレードオフとなる回路安定度の低下を防ぐため、位相補償回路等に特許技術を導入。高位相余裕と高負荷容量耐性を両立しました。

ロームでは、次世代の高速高精度なスイッチング技術に取り組んでいます。その実用化した一例が 超高速パルス制御テクノロジー（Nano Pulse Control^®）を搭載した高速スイッチング電源です。 最短電源ON時間わずか9nsを実現。48Vの電源から直接3.3Vの電源を作り出し、小面積高効率化に貢献します。

LSI微細加工技術と圧電薄膜技術を活用して、さまざまなMEMSデバイスの製造・開発を行っています。薄膜製造技術、シリコン深堀エッチング技術などを基礎として、小型、省エネ、高機能なセンサを実現し、民生、産機、自動車などの各分野で貢献していきます。

MEMS3軸加速度センサとマイコンで構成したインテリジェントセンサモジュールです。マイコン内に搭載した高精度SI値*算出アルゴリズムが、私たちの安全・安心を見守る技術です。

フォトニック結晶と呼ばれる、2次元の微細な周期構造を半導体内部に埋め込んだ、面発光型の半導体レーザーです。最先端のナノテクノロジーで半導体に様々なパターンを形成することで、細いビームを生成できることは勿論、ビームの形状や出射方向も変えることができます。

小型で室温動作が可能なテラヘルツ波半導体デバイスを開発しています。高い周波数を用いることができるテラヘルツ波デバイスは、テラヘルツ波センシングや無線通信の高速化などへの応用が期待できます。

これまでサーバーで処理していた異常検知アルゴリズムを半導体チップに搭載。エナジーハーベスト動作可能な独自の超低消費電力アーキテクチャにより、システム全体の消費電力を大幅に低減するとともに、あらゆる装置に設置可能で汎用性の高い異常検知手段を提供します。