ロームの研究開発に対する取り組み

ローム株式会社は1954年の創業以来、他社にはない創意工夫と、粘り強い研究を続け、抵抗器から多様な半導体製品の販売を手掛けるまでに至りました。自社の得意とする半導体技術に、新たな技術と知恵を糾合し、パワーデバイス、センサ、オプティカルデバイスといった分野での新たな事業の創出・成長を目指しております。
研究開発活動を通して、エネルギー、環境、人口、安全、食糧等の社会課題に真摯に向き合い、社会の皆様の幸せと文化の進歩向上に貢献してまいります。

ロームの歩み

研究開発沿革

2000年	業界最高レベルの高S/N、低ジッタを実現したDVD用クロックジェネレータICを開発全く新しい概念のシステムLSIデザインテクノロジー「REAL SOCKET^®」を開発
2001年	CD、DVDドライブ用静音ディスクドライブ技術（S!PWM×2)を開発 32倍速以上の高速CD-RWを可能にした180mW高出力半導体レーザを開発
2002年	オプティカルデバイス研究センター開設
2003年	LSI計測技術センター開設フラットパネルディスプレイ用LVDSインタフェースLSIを開発
2004年	システムLSIの開発効率を大幅に高めるプラットホーム設計環境「リアルプラットホーム」を開発 300mmウエハプロセスラインによる本格量産開始 130nm CMOS ICの量産開始
2005年	ステップフリー構造のサーマルプリントヘッドを開発。高い耐久性を実現サイリスタを開発。量産開始
2006年	耐圧900V、オン抵抗3.1mΩ/cm2の世界最高性能シリコンカーバイド(SiC)FETを開発世界で初めてビーム形状が制御できる半導体レーザを開発(英科学誌「Nature」に掲載)
2007年	世界最小・最薄のチップLED「PICOLED^®（ピコレッド）」を開発業界で初めて組み込み機器用に開発された無線LANベースバンドLSIを開発（暗号信号処理IEEE802.1Xプロトコルも内蔵）
2008年	待機電力ゼロの不揮発ロジック技術を世界で初めて開発バイオチップ分野に参入、血液検査チップを開発
2009年	低抵抗SiCトレンチMOSFETの大容量化に世界で初めて成功シームレスタイプのLEDベース照明を開発（2009年グッドデザイン賞を受賞）世界トップクラスのMEMS加速度センサ開発メーカーであるKionix, Inc.を子会社化 SiCウエハのサプライヤであるSiCrystal社を子会社化
2010年	世界で初めて出射ビームの方向を自在に制御可能な半導体レーザを開発(英科学誌「Nature Photonics」に掲載) SiCショットキーバリアダイオードの量産を開始米Intel^®社組み込みプロセッサー向けチップセット及びリファレンスボードを開発モータ内蔵可能な高効率SiCモジュールを開発世界で初めてSiC-DMOSFETの量産開始
2012年	"フルSiC"パワーモジュールを量産開始業界最高の低暗電流6μA(従来比80%減)を実現した車載用LDOレギュレータを開発世界最小のトランジスタパッケージ「VML0806」を量産開始世界最小の「0402サイズ」ツェナーダイオードを開発ロームがエネルギーハーベスト技術を利用した次世代無線通信規格推進団体「EnOcean Alliance（エンオーシャンアライアンス）」のプロモーターに就任業界初ショットキーダイオードレスのSiC-MOSモジュールの量産開始
2013年	米Intel^®社のタブレット向け次世代Atom^™プロセッサ「Bay Trail」を最適にサポートする低消費電力パワーマネジメントICを共同開発 MOSFETとIGBTの良特性を兼ね備えた新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発全く新しい工法を用いた微細化の限界を超えた世界最小部品「RASMID(ラスミッド)^®シリーズ」量産開始業界初のPFC制御機能を搭載した高効率AC/DCコンバータICを開発
2014年	業界初、高精度な薄膜圧電素子を提供するMEMSファウンドリビジネスを開始業界初スマートコミュニティ構築に最適な「Wi-SUN」対応の汎用無線通信モジュールを開発車載、産機向けの電流検出に最適な高電力・超低抵抗シャント抵抗器を開発世界最小トランジスタ「VML0604」を開発。従来商品に比べ50%減の小型化を実現
2015年	世界初、SiC駆動用AC/DCコンバータ制御ICを開発業界初、WPC Qi規格ミディアムパワーに準拠するワイヤレス給電チップセットを開発世界初、トレンチ構造採用のSiC-MOSFETを開発・量産
2016年	業界初、48Vから3.3Vに直接降圧可能なDC/DCコンバータIC技術を確立世界最小、車載LDOレギュレータBUxxJA2MNVX-Cシリーズを開発業界最小、車載Nch 40V MOSFET「AG009DGQ3」を開発 SiC ショットキーバリアダイオードを搭載、VenturiフォーミュラEチームのオフィシャル・テクノロジー・パートナーに就任