SH8M31
60V Nch+Pch Power MOSFET
SH8M31TBはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。 モータ駆動に最適なデュアルMOSFET、裏面放熱パッケージの新開発品の仕様書を公開しております。
主な仕様
特性:
パッケージコード
SOP8
端子数
8
極性
Nch+Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.055
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.052
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.055
ゲート総電荷量 Qg [nC]
7
許容損失 PD [W]
2
駆動電圧 [V]
4
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
5x6 (t=1.75)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージ(SOP8)で省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
