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4V駆動タイプ Nch MOSFET - RXH100N03

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RXH100N03GZETB
供給状況 | 供給中
パッケージ | SOP8
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

10.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.013

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0095

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.013

ゲート総電荷量 Qg [nC]

11.0

許容損失 PD [W]

2.0

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・4V駆動タイプ
・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠