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Nch 100V 65A Power MOSFET - RSJ650N10

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RSJ650N10TL
供給状況 | 供給中
パッケージ | LPTS(D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263(D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

パッケージサイズ[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

65.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.007

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0065

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.007

ゲート総電荷量 Qg [nC]

260.0

許容損失 PD [W]

100.0

駆動電圧 [V]

4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・4V駆動タイプ
・Nチャンネル パワーMOSFET
・高速スイッチング
・駆動回路が簡単
・並列使用が容易
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠