新規設計非推奨 RS1P600BE
Nch 100V 60A パワーMOSFET

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

主な仕様

 
形名 | RS1P600BETB1
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | HSOP8 (Single)
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSOP8S (5x6)

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

60

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0075

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0075

ゲート総電荷量 Qg [nC]

33

許容損失 PD [W]

35

駆動電圧 [V]

10

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

4.9x6 (t=1.1)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型面実装パッケージで省スペース
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー
  • 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
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