Nch 60V 13A パワーMOSFET - RQ3L050GN | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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Nch 60V 13A パワーMOSFET - RQ3L050GN
RQ3L050GNは小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm]
3.3x3.3(t=0.8)
推奨セット
Power Supply
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
60
ドレイン電流 (直流) ID [A]
13.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.061
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.043
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.061
ゲート総電荷量 Qg [nC]
2.8
許容損失 PD [W]
14.8
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 小型面実装パッケージで省スペース
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠