Pch -30V -39A パワーMOSFET - RQ3E120AT | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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Pch -30V -39A パワーMOSFET - RQ3E120AT
RQ3E120ATは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
HSMT8(3.3x3.3)
パッケージサイズ[mm]
3.3x3.3(t=0.8)
推奨セット
Switching
端子数
8
極性
Pch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
-30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
-39.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0087
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0061
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0087
ゲート総電荷量 Qg [nC]
33.0
許容損失 PD [W]
20.0
駆動電圧 [V]
-4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
· 低オン抵抗· 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)で省スペース
· 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
· ハロゲンフリー