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4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RQ3E080GN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RQ3E080GNTB
供給状況 | 供給中
パッケージ | HSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

HSMT8(3.3x3.3)

パッケージサイズ[mm]

3.3x3.3(t=0.8)

推奨セット

Power Supply

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

18.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0175

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0129

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0175

ゲート総電荷量 Qg [nC]

2.8

許容損失 PD [W]

14.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー