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Nch 30V 10A 小信号MOSFET - RQ1E100XN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RQ1E100XNTR
供給状況 | 供給中
パッケージ | TSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TSMT8

パッケージサイズ[mm]

3.0x2.8(t=0.8)

推奨セット

Switching

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

10.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.01

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0095

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0075

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.01

ゲート総電荷量 Qg [nC]

12.7

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

4.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・4V駆動タイプ
・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠