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1.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RQ1C065UN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RQ1C065UNTR
供給状況 | 供給中
パッケージ | TSMT8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TSMT8

パッケージサイズ[mm]

3.0x2.8(t=0.8)

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

6.5

RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)

0.029

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.016

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.029

ゲート総電荷量 Qg [nC]

11.0

許容損失 PD [W]

1.5

駆動電圧 [V]

1.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・低電圧1.5V駆動タイプ
・Nチャンネル 小信号MOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠