RJP020N06
Nch 60V 2A ミドルパワーMOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

新規の設計にご使用いただけますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RJP020N06T100
供給状況 | 購入可能
パッケージ | MPT3
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes
長期供給プログラム | 9 Years

特性:

パッケージコード

SOT-89

JEITAパッケージ

SC-62

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

60

ドレイン電流 (直流) ID [A]

2

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.21

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.165

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.21

ゲート総電荷量 Qg [nC]

5

許容損失 PD [W]

2

駆動電圧 [V]

2.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

4.5x4 (t=1.5)

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特長:

・2.5V駆動タイプ
・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

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