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Nch 100V 120A パワーMOSFET - RJ1P12BBD (新製品)

RJ1P12BBDはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | RJ1P12BBDTLL
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-263AB (LPTL)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263AB

パッケージサイズ[mm]

10.1x15.1(t=4.7)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

120.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0052

ゲート総電荷量 Qg [nC]

51.0

許容損失 PD [W]

178.0

駆動電圧 [V]

6.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • アバランシェ耐量試験済
  • ハロゲンフリー