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4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RF4E080BN

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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形名 | RF4E080BNTR
供給状況 | 供給中
パッケージ | HUML2020L8(Single)
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

DFN2020-8S

パッケージサイズ[mm]

2.0x2.0(t=0.6)

推奨セット

Switching, Motor

端子数

8

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

8.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0189

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0135

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0189

ゲート総電荷量 Qg [nC]

7.2

許容損失 PD [W]

2.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー

サポートリンク:

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