4.5V駆動タイプ Nch MOSFET - RF4E080BN
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
DFN2020-8S
パッケージサイズ[mm]
2.0x2.0(t=0.6)
推奨セット
Switching, Motor
端子数
8
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
30
ドレイン電流 (直流) ID [A]
8.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0189
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0189
ゲート総電荷量 Qg [nC]
7.2
許容損失 PD [W]
2.0
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K4001
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ（HUML2020L8）
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー