Nch 650V 11A Power MOSFET - R6511ENJ | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan
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Nch 650V 11A Power MOSFET - R6511ENJ (新製品)
R6511ENJは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-263(D2PAK)
JEITAパッケージ
SC-83
パッケージサイズ[mm]
10.1x13.1(t=4.5)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
650
ドレイン電流 (直流) ID [A]
11.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.36
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.36
ゲート総電荷量 Qg [nC]
32.0
許容損失 PD [W]
124.0
駆動電圧 [V]
10.0
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠