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Nch 650V 11A Power MOSFET - R6511ENJ (新製品)

R6511ENJは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチングなどの用途に最適です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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形名 | R6511ENJTL
供給状況 | 供給中
パッケージ | LPTS(D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263(D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

パッケージサイズ[mm]

10.1x13.1(t=4.5)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

650

ドレイン電流 (直流) ID [A]

11.0

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.36

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.36

ゲート総電荷量 Qg [nC]

32.0

許容損失 PD [W]

124.0

駆動電圧 [V]

10.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠

サポートリンク:

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