新規設計に非推奨 高速ダイオード内蔵 Nch 600V 25A パワーMOSFET - R6025JNZ

R6025JNZ の代替品
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

アプリケーションノート

インバータ回路におけるスイッチング素子の逆回復特性の重要性とPrestoMOS™の有用性について
 
インバータ回路の動作において、スイッチング素子に内蔵されているDiode の逆回復特性の重要性およびBody Diodeの逆回復特性が業界最高クラスの性能を有するSuper Junction MOSFETであるPrestoMOS™の有用性について説明
ダブルパルス試験を用いたPrestoMOS™ のデバイス特性の優位性実証
 
インバータ回路やTotem Pole 型力率改善(PFC)回路など、トランジスタを2 つ以上持つブリッジ回路において、上下アームを貫通する電流によってターンON 損失が増大することがあります。この現象は、スイッチングしているトランジスタと逆アームのトランジスタがもつ、寄生ダイオード(Body Diode)のリカバリー特性に大きく影響を受けるため、ブリッジ回路ではリカバリー特性の優れた素子を選定する必…
LLCコンバータの1次側スイッチング素子におけるPrestoMOS™の有用性について
 
LLCコンバータの回路動作、及びLLCコンバータの特有の問題である共振外れに対するPrestoMOS™の有用性について
MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
Condition Of Soldering
 
For Lead Type
形名の構成
 
For Transistors

デザインモデル

Spice Model (lib)
 
R6025JNZのSPICEモデルをダウンロード

基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For TO3PF package
耐湿レベルについて
 
For Transistors
耐ウィスカ性能について
 
For Transistors

環境データ

UL難燃性について
 
For Transistors
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For Transistors
RoHS/ELV指令適合証明書
 
For Transistors

輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
For Transistors