新規設計に非推奨 高速ダイオード内蔵 Nch 600V 20A パワーMOSFET - R6020JNZ

R6020JNZ の代替品
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | R6020JNZC8
供給状況 | 新規設計に非推奨
パッケージ | TO-3PF
包装数量 | 360
最小個装数量 | 360
包装形態 | バルク
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-3PF

パッケージサイズ[mm]

26.5x15.5(t=5.5)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

20.0

RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.18

ゲート総電荷量 Qg [nC]

45.0

許容損失 PD [W]

76.0

駆動電圧 [V]

15.0

実装方式

Leaded type

Bare Die/Wafer 品番

Available: K7802

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

  • 逆回復時間(trr)が小さい
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 駆動回路が簡単
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠