高速ダイオード内蔵 Nch 600V 18A パワーMOSFET - R6018JNX
R6018JNXは低オン抵抗かつ逆回復時間(trr)が速いパワーMOSFETです。R60xxJNxシリーズ「PrestoMOS™」は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電のモータ駆動やEVの充電ステーションに最適な、逆回復時間（trr）が速いSuperJunction MOSFETです。
×
特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-220FM
パッケージサイズ[mm]
15.1x10.1 (t=4.6)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
18.0
RDS(on)[Ω] VGS=15V(Typ.)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.22
ゲート総電荷量 Qg [nC]
42.0
許容損失 PD [W]
72.0
駆動電圧 [V]
15.0
実装方式
Leaded type
Bare Die/Wafer 品番
Available: K7801
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 逆回復時間(trr)が小さい
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 駆動回路が簡単
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠