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2.5V駆動タイプ Nch+SBD MOSFET - QS5U16

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | QS5U16TR
供給状況 | 供給中
パッケージ | TSMT5
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-25T

パッケージサイズ[mm]

2.9x2.8(t=1.0Max.)

端子数

5

極性

Nch+Schottky

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

30

ドレイン電流 (直流) ID [A]

2.0

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.11

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.076

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.071

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.11

ゲート総電荷量 Qg [nC]

2.8

許容損失 PD [W]

0.9

駆動電圧 [V]

2.5

逆方向電圧 (Diode)[V]

20.0

順方向電流 (Diode)[A]

0.5

サージ順方向電流 (Diode)[A]

2.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[°C]

-55

保存温度範囲(Max.)[°C]

150

特長:

・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠