650V, 12A, THD, 高サージ電流耐量 SiCショットキーバリアダイオード - SCS312AM

SCS312AMはVF特性を改善しつつ、大幅にサージ電流耐量IFSMを向上させた第三世代のSiCショットキーバリアダイオードです。サージ電流が印加されるようなイレギュラ動作時においても安心して使うことができます。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
熱モデルの使い方
 
このアプリケーションノートは、熱モデルの入手方法と使い方、熱モデルを用いたシミュレーション方法について記しています。
SiC パワーデバイス・モジュール
 
形名の構成
 
For SiC Schottky Barrier Diodes