最終販売 BSM400C12P3G202
1200V, 358A, チョッパ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール

製造中止を申請中の製品です。

主な仕様

 
形名 | BSM400C12P3G202
供給状況 | 最終販売
パッケージ | G
包装数量 | 4
最小個装数量 | 4
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

358

PD [W]

1570

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Chopper

パッケージサイズ [mm]

152x62 (t=18)

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特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
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    • This evaluation board, BSMGD3G12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules with the 3rd / 4th Generation SiC-MOSFET in G and E type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

  • User Guide
    • Snubber Module - MGSM1D72J2-145MH16
    • Snubber Module for BSM series (1200V, E / G type)