SCT3040KR
1200V, 55A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET
SCT3040KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
主な仕様
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
40
世代
3rd Gen (Trench)
ID [A]
55
PD [W]
262
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
16x23.45 (t=5.2)
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング
- 逆回復時間が早い
- 並列使用が容易
- 駆動回路が簡単
- Pbフリー対応済み、RoHS準拠
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
-
- Evaluation Board - P02SCT3040KR-EVK-001
- For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
Enables evaluation of other ROHM SiC MOSFETs by simply changing the circuit multiplier - In addition to the TO-247-4L package, there are through-holes for TO-247-3L that make it possible to perform comparative evaluations on the same board
- Single power supply (+12V operation)
- Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
- Compatible with a variety of power supply topologies (Buck/Boost/Half Bridge)
- Built-in isolated power supply for gate drive adjustable via variable resistor (+12V to +23V)
- Jumper pins enable switching between negative bias/zero bias for gate drive
- Includes overcurrent protection (DESAT, OCP) along with a function for preventing simultaneous ON of both upper and lower arms
- For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
