製造中止
SCH2080KE
1200V, 40A, THD, SBD内蔵タイプSiC-MOSFET
SCH2080KE
主な仕様
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
80
世代
2nd Gen (Planar)
ID [A]
40
PD [W]
262
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
パッケージサイズ [mm]
15.9x20.95 (t=5.21)
特長:
・低オン抵抗・高速スイッチング・低スイッチングロス
・SiC SBDをパッケージ内に同梱
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
