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N-channel Silicon Carbide power MOSFETbare die - S4105

S4105はSiC(シリコンカーバイド)によるパワーMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | S4105
供給状況 | 供給中
パッケージ |
包装数量 |
最小個装数量 |
包装形態 |
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

160.0

ID [A]

17.0

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.) [°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive