S4101
1200V, 55A, SiC-MOSFET Bare Die
S4101
主な仕様
特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
40
世代
3rd Gen
ID [A]
55
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
· 低オン抵抗· 高速スイッチングスピード
· 高速リカバリー
· 並列使用が容易
· 駆動回路が簡単