主な仕様
特性:
電源電圧(Min.)[V]
8
電源電圧(Max.)[V]
32
消費電流(Typ.)[µA]
0.5
ON抵抗[mΩ]
45
出力チャンネル数[ch]
1
制御入力論理
Active High
過電流検出値[A]
17.4 to 34.6
出力立ち上がり時間[ms]
60
温度保護
Recovery
過電流時Flag出力Delay[ms]
30
動作温度範囲(Min.)[℃]
-40
動作温度範囲(Max.)[℃]
85
パッケージサイズ [mm]
4.9x6 (t=1)
特長:
- Dual TSD内蔵(ジャンクション温度を検知する過熱保護機能とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護機能の2種類の温度保護を内蔵)
- 低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
- ソフトスタート時間可変
- 過電流保護機能(ラッチオフ)
- 過熱保護機能(TSD)
- 低電圧時出力OFF機能(UVLO)
- エラーフラグ通知端子
