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DDR-SDRAM用 ターミネーション用 リニア電源 - BD3538HFN

BD3538HFNは、JEDEC準拠のDDR-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン (VDDQ) と独立したフィードバックピン (VTTS) をもっており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン (VREF) をもっています。ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | BD3538HFN-TR
供給状況 | 供給中
パッケージ | HSON8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

ch

1

Vin(Min.)[V]

2.7

Vin(Max.)[V]

5.5

Vin 2ch[V]

1.0 to 5.5

Iout(Max.)[A]

1.0

Circuit Current[mA]

2.0

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

動作温度範囲(Min.)[°C]

-40

動作温度範囲(Max.)[°C]

105

特長:

  • ターミネーション用プシュプル電源内蔵 (VTT)
  • 基準電圧回路内蔵 (VREF)
  • イネイブル機能内蔵
  • 低入力誤動作防止回路内蔵 (UVLO)
  • 過熱保護回路内蔵 (TSD)
  • Dual Channel対応 (DDR-II)