主な仕様
特性:
タイプ
Ultraminiature Type
ギャップ長[mm]
0.8
スリット長[mm]
0.25
出力タイプ
Phototransistor
コレクタ電流(Min.)[mA]
0.18
コレクタ電流 Min.時 VCE条件[V]
0.7
コレクタ電流Min.時 IF条件[mA]
3
動作温度範囲(Min.)[℃]
-25
動作温度範囲(Max.)[℃]
85
パッケージサイズ [mm]
4.4x3.4 (t=3.3)
特長:
・ギャップ幅0.8mm・超小型ディップタイプ
