RF4C050AP - 技術資料
RF4C050APは低オン抵抗・小型ハイパワーパッケージのMOSFETで、スイッチングやロードスイッチ用途に最適です。
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アプリケーションノート
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形名の構成
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For Transistors
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安全動作領域（SOA）の温度ディレーティングについて
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本アプリケーションノートは、MOSFETやバイポーラトランジスタにおける、安全動作領域（Safety Operating Area SOA）の温度ディレーティング方法について説明します。
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スイッチング回路の電力損失計算
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SiC MOSFETを用いたスイッチング回路における、SiC MOSFETのスイッチング動作時に発生する電力損失の計算方法を記載しています。
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熱電対を用いた温度測定における注意点
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このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
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熱シミュレーション用 ２抵抗モデル
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熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな２抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは３次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
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pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
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このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
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熱モデルとは（トランジスタ）
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SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
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MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
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MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
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スイッチング波形のモニタ方法
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このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
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MOSFETの仕様書に記載している用語説明
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MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
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MOSFET の破壊メカニズムについて
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仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
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熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
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ディスクリート半導体デバイスのジャンクションからケースへの熱抵抗を測定する方法と、その使い方について説明しています。
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パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
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測定に使用する機材は定期的に校正していても、測定環境に対して校正を怠ると誤った結果が得られます。このアプリケーションノートではパワー測定環境でプローブ校正の重要性について説明しています。
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バイパスコンデンサのインピーダンス特性
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このアプリケーションノートではコンデンサのインピーダンス特性にフォーカスし、バイパスコンデンサ選択時の注意点について説明しています。
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熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
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実動作時に半導体チップのジャンクション温度を求めるために熱電対を使ってパッケージ裏面の温度を測定するときの注意点を記載しています。
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